A5G08H800W19N|865～960 MHz、112 W平均、50 V

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この112 W非対称ドハティRFパワーGaNトランジスタは、865～960 MHzの周波数範囲を対象とし、非常に広い瞬時帯域幅が要求されるセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。

865～960 MHz帯域で動作するアプリケーションに対して特性が規定され、性能が保証されています。それ以外の周波数向けのアプリケーションでは性能は保証されません。

製品詳細

部品番号： A5G08H800W19N.

ドハティ・シングルキャリアW-CDMA製品テスト設備での標準性能：V_DD = 50 Vdc、I_DQA = 350 mA、V_GSB = –5.0 Vdc、P_out= 112 W（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）⁽¹⁾

1. デバイスをNXP製品テスト設備にはんだ付けした状態での計測データです。

4 ドキュメント

^{データ・シート}
A5G08H800W19N 865–960 MHz, 112 W Avg, 50 V Data Sheet

PDF改訂 1Dec 21, 2023222.7 KBA5G08H800W19N
^{アプリケーション・ノート}
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note更新

PDF改訂 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955
^{アプリケーション・ノート}
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
^{ファクト・シート}
RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet

PDF改訂 0May 16, 20241.4 MBMACROGANFS

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

3 設計・ファイル