720-960 MHz, 120 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

A2V09H525-04N
The A2V09H525-04N 120 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz.

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製品詳細

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Features

  • Advanced high performance in-package Doherty
  • Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
  • Designed for digital predistortion error correction systems
  • RoHS compliant

RF Performance Tables

900 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 48 Vdc, IDQA = 688 mA, VGSB = 1.1 Vdc, Pout = 120 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency Gps
(dB)		 ηD
(%)		 Output PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
920 MHz18.957.87.5–28.9
940 MHz18.956.77.3–32.4
960 MHz18.754.86.9–34.8

780 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 48 Vdc, IDQA = 700 mA, VGSB = 0.9 Vdc, Pout = 120 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency Gps
(dB)		 ηD
(%)		 Output PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
758 MHz18.156.27.5–28.2
780 MHz18.154.77.5–29.3
803 MHz17.752.57.2–32.5

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

3 ドキュメント

設計・リソース

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設計・ファイル

フィルタ

5 設計・ファイル

  • シミュレーションとモデル

    A2V09H525-04N S-Parameters Peaking Class C

    S2P改訂 0Mar 10, 2017 00:00:0034.5 KBA2V09H525-04N-PEAKING-CLASS-C
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  • シミュレーションとモデル

    A2V09H525-04N S-Parameters Peaking Class AB

    S2P改訂 0Mar 10, 2017 00:00:0034.4 KBA2V09H525-04N-PEAKING-CLASS-AB
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  • シミュレーションとモデル

    A2V09H525-04N S-Parameters Carrier

    S2P改訂 0Mar 10, 2017 00:00:0034.4 KBA2V09H525-04N-CARRIER
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  • プリント基板と回路図

    A2V09H525-04N 900 MHz PCB DXF file

    ZIP改訂 1Mar 10, 2017 00:00:0073.3 KBA2V09H525-04N-900-PCB
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  • プリント基板と回路図

    A2V09H400-04N 780 MHz PCB DXF file

    ZIP改訂 0Mar 10, 2017 00:00:0079.3 KBA2V09H525-04N-780-PCB
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