A2V09H400-04N|720-960 MHz, 197 W Avg, 48 V

The A2V09H400-04NR3 107 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Advanced high performance in-package Doherty
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

部品番号： A2V09H400-04N.

RF Performance Table

780 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 688 mA, V_GSB = 0.6 Vdc, Pout = 107 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
733 MHz	17.5	56.3	7.2	–31.3
780 MHz	18.0	55.8	7.2	–36.4
821 MHz	17.4	55.6	6.9	–35.0

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

^{データ・シート}
A2V09H400-04N 720-960 MHz, 107 W Avg, 48 V Data Sheet

PDF改訂 1Mar 10, 2017398.6 KBA2V09H400-04N
^{アプリケーション・ノート}
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note更新

PDF改訂 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955
^{アプリケーション・ノート}
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
^{エンジニアリング・ブリテン}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF改訂 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212
^{パッケージ情報}
98ASA10833D

PDF改訂 BMar 22, 201669.8 KBSOT1818-4

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5 の 7 設計・ファイル

^{シミュレーションとモデル}
A2V09H400-04N S-Parameters Peaking Class C

S2P改訂 0Nov 22, 2016 00:41:0034.4 KBA2V09H400-04N-PEAKING_CLASS-C
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^{シミュレーションとモデル}
A2V09H400-04N S-Parameters Peaking Class AB

S2P改訂 0Nov 22, 2016 00:41:0034.4 KBA2V09H400-04N-PEAKING-CLASS_AB
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^{シミュレーションとモデル}
A2V09H400-04N S-Parameters Carrier

S2P改訂 0Nov 22, 2016 00:41:0034.4 KBA2V09H400-04N-CARRIER
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^{プリント基板と回路図}
A2V09H400-04N 780 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 2Dec 12, 2016 16:50:0055.9 KBA2V09H400-04N_780_PCB
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^電卓
A2V09H400-04N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Jul 6, 2017 00:00:0083.7 KBA2V09H400-04N_MTTF_CALC
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^{Design Tool}
A2V09H400-04N + A2T08VD020N 758-803 MHz Design Files

ZIP改訂 0Jan 4, 2024 16:28:002.8 MBA2V09H400-04N-A2T08VD020N-758-803-MHz
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^{Design Tool}
A2V09H400-04N 758-803 MHz Design Files

ZIP改訂 0Jan 4, 2024 16:28:00764.0 KBA2V09H400-04N-758-803-MHz
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720-960 MHz, 107 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

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RF Performance Table

780 MHz

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絞り込み

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note更新

設計・リソース

デザイン・ファイル

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A2V09H400-04N S-Parameters Peaking Class C

A2V09H400-04N S-Parameters Peaking Class AB

A2V09H400-04N S-Parameters Carrier

A2V09H400-04N 780 MHz PCB DXF file

A2V09H400-04N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

A2V09H400-04N + A2T08VD020N 758-803 MHz Design Files

A2V09H400-04N 758-803 MHz Design Files

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