720-960 MHz, 100 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistors

AFV09P350-04N
The AFV09P350-04NR3 and AFV09P350-04GNR3 100 W symmetrical Doherty RF power LDMOS transistors are designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz.

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製品詳細

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Features

  • Production Tested in a Symmetrical Doherty Configuration
  • Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
  • Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
  • RoHS Compliant
  • In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Table

900 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 48 Vdc, IDQA = 860 mA, VGSB = 0.9 Vdc, Pout = 100 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency Gps
(dB)		 ηD
(%)		 Output PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
920 MHz19.548.57.2–29.2
940 MHz19.549.57.1–32.0
960 MHz19.248.07.0–35.7

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

1-5 の 7 ドキュメント

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設計・リソース

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設計・ファイル

フィルタ

1-5 の 8 設計・ファイル

  • シミュレーションとモデル

    RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

    HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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  • シミュレーションとモデル

    RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

    HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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  • シミュレーションとモデル

    AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Peaking 860 mA S-Parameters

    S2P改訂 0Jan 13, 2014 00:00:0019.2 KBAFV09P350_04N_PEAKING_860MA_SP
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  • シミュレーションとモデル

    AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Carrier 860 mA S-Parameters

    S2P改訂 0Jan 13, 2014 00:00:0019.2 KBAFV09P350_04N_CARRIER_860MA_SP
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  • シミュレーションとモデル

    AFV09P350-04N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

    ZIP改訂 1Apr 2, 2015 00:00:00466.3 KBAFV09P350_04N_MDL_AWR
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