電源インバータシステム(PIM)ハードウェアソリューション

NXPパワーインバータモジュール(PIM)ソリューションは、NXP製品を評価するための使いやすいプラットフォームを提供するために開発されました。このプラットフォームは、高電圧(HV)電気自動車(EV)トラクションインバータへの電力供給において、バッテリ寿命の延長、フォームファクタの小型化、部品数の削減、BOMコストの削減、およびパフォーマンスの向上を実現するように構成されています。ソリューションは、HV IGBTおよびHV SiC MOSFETベースのパワーモジュールの両方に提供されます。

PIMリファレンスデザインは、NXPのワールドクラスの車載用MCU、CANバスインターフェイス、安全システムベースチップ、およびHVゲートドライバの包括的な車載ポートフォリオを組み合わせたものです。プラットフォームは、ASIL Dシステムレベルの機能安全設計、有効化ソフトウェア、および安全マニュアルを提供します。

HV IGBTベースのPIM

EVインバータ画像

EVインバータ

設計

MPC5775E / GD3100 / FUJI M653 IGBTモジュールを搭載したeモビリティ向けに設計された完全なPIMシステムソリューションを提供する高電圧トラクションモータのリファレンスデザイン

RDGD3100I3PH5EVBイメージ

RDGD3100I3PH5EVB

設計

GD3100を搭載したHybridPACK Drive IGBT / SiC MOSFETモジュール用の低コスト3相パワーインバータのリファレンスデザイン

RDGD3100F3PH5EVBイメージ

RDGD3100F3PH5EVB

設計

GD3100を搭載した富士M653 IGBTモジュール用の低コスト3相電源インバータリファレンスデザイン

HV SiC MOSFETベースのPIM

SiC EVパワーインバータのイメージ

SiC EVパワーインバータ

設計

P6モジュールにMPC5775E / GD3160 / CREE SiC MOSFETを搭載し、eモビリティ用に設計された完全なPIMシステムソリューションを提供する高電圧トラクションモータのリファレンスデザイン

RDGD31603PHSEVMイメージ

RDGD31603PHSEVM

設計

3相リファレンス設計および評価キットにより、互換性のあるSiC MOSFET 3相モジュールを備えたGD3160ゲートドライブデバイスの開発と評価が可能になります。

HV GDIC GD31xxおよびMCU SPC5775Eボード

MPC5775E-EVBイメージ

MPC5775E-EVB

開発ボード

MPC5775Eを搭載したインバータアプリケーション用に設計された低コストのMCU開発基板

FRDMGD31ECNEVMイメージ

FRDMGD31ECNEVM

評価委員会

GD3100搭載のエコノデュアルモジュール用ハーフブリッジ評価ボード

FRDMGD31RPEVMイメージ

FRDMGD31RPEVM

評価委員会

ABB Hitachi RoadPak IGBT/SiCモジュール用ハーフブリッジ評価ボード(GD3100搭載)

FRDMGD3100HB8EVMイメージ

FRDMGD3100HB8EVM

評価委員会

HybridPACK Drive (P6HEピン配置)用ハーフブリッジ評価ボードGD3100搭載IGBT/SiC MOSFETモジュール

FRDMGD3100HBIEVMイメージ

FRDMGD3100HBIEVM

評価委員会

GD3100搭載HybridPACK Drive P6 IGBT/SiC MOSFETモジュール用ハーフブリッジ評価ボード

FRDM-GD3100EVMイメージ

FRDM-GD3100EVM

評価委員会

GD3100搭載の富士M653 IGBTモジュール用ハーフブリッジ評価ボード

FRDMGD3160HBIEVMイメージ

FRDMGD3160HBIEVM

評価委員会

HybridPACK Drive P6 IGBT/SiC MOSFETモジュール用ハーフブリッジ評価ボードGD3160搭載

FRDMGD3160XM3EVMイメージ

FRDMGD3160XM3EVM

評価委員会

GD3160搭載のCree/Wolf速度XM3 SiC MOSFETモジュール用ハーフブリッジ評価ボード

FRDMGD3160DSCBイメージ

FRDMGD3160DSCHB

(プロトタイプは近日発売予定)

評価委員会

GD3160搭載ON SEMI DSC IGBT/SiC MOSFETモジュール用ハーフブリッジ評価基板