1800-2200 MHz, 13.5 W Avg., 30 V Airfast® Wideband Integrated RF LDMOS Amplifier
A2I20H080N アラートの受信
- アーカイブス
- このページには、製造中止（生産終了）となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。
The A2I20H080N wideband integrated circuit is an asymmetrical Doherty designed with on-chip matching that makes it usable from 1800 to 2200 MHz. This multi-stage structure is rated for 26 to 32 V operation and covers all typical cellular base station modulation formats.
製品詳細
RF Performance Table
1800 MHz
Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Characterization Performance: VDD = 30 Vdc, IDQ1A = 30 mA, IDQ2A = 195 mA, VGS1B = 1.35 Vdc, VGS2B = 1.25 Vdc, Pout = 13.5 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.| Frequency | Gps (dB) |
PAE (%) |
ACPR (dBc) |
| 1805 MHz | 28.4 | 42.1 | –36.9 |
| 1840 MHz | 28.2 | 43.4 | –38.6 |
| 1880 MHz | 27.9 | 42.9 | –34.0 |