RDBESS772BJBEVBバッテリー・ジャンクション・ボックスのスタート・ガイド
このドキュメントの内容
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パッケージの内容
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ハードウェアの入手
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ハードウェアの構成
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お客様の RDBESS772BJBEVB
1. パッケージの内容
NXPのアナログ製品開発ボードは、NXP製品の評価を目的とした使いやすいプラットフォームです。さまざまなアナログ・ソリューション、ミックスド・シグナル・ソリューション、パワー・ソリューションに対応しています。実績のある大容量テクノロジを使用したモノリシック集積回路およびシステム・イン・パッケージ (SiP) デバイスを搭載しています。NXP製品は、最先端システムへの電源供給において、より長いバッテリー寿命、より小さいフォーム・ファクタ、より少ない部品数、より低いコスト、より優れたパフォーマンスを実現します。
このページでは、RDBESS772BJBEVBバッテリー・ジャンクション・ボックスをセットアップして使用する手順について説明します。
1.1 キットの内容と同梱物一覧
- バッテリー・ジャンクション・ボックス (BJB)
- RDBESS772BJBEVBボード x 1
- 電源コード x 1
- 高電圧測定ケーブル x 6
- サーマル・センサ・ケーブル x 2
- シャーシ・ケーブル x 1
- グランド・ケーブル x 1
- ホール・センサ・ケーブル x 2
- エレクトリカル・トランスポート・プロトコル・リンク (ETPL) ケーブル x 1
- アクリル樹脂カバー x 1
2. ハードウェアの入手
2.1 ボードの特長
RDBESS772BJBEVBには次の機能があります。
- 高電圧陽極測定入力（最大1800 V）x 4
- バイポーラ高電圧測定入力（−1800 V～1800 V）x 2
- 高電圧領域と低電圧領域の間の絶縁監視
- 100 μΩシャント抵抗による電流測定（−500 A～500 A）、オプションで2つのシャント抵抗を使用した冗長性にも対応
- 推定シャント抵抗温度の算出
- オプションでオンボード・シャント抵抗または外部シャント抵抗に対応
- 電流測定用ホール・センサ（0 A～500 A）x 1、オプションでホール・センサをもう1つ追加可能
- 外付けセンサによるプリチャージ抵抗温度測定
- 校正データ・ストレージ用EEPROM x 2
- 電気的に隔離された通信用ETPL
- プリント基板はIEC 60664に準拠して設計（汚染度3、材料グループIIIb）
2.2 ボードの説明
RDBESS772BJBEVBは、バッテリー電流測定、コンタクタおよびヒューズの監視、絶縁監視および温度測定をサポートしています。
バッテリー・マネジメント・ユニット (BMU) が2個のMC33772CTC1AEと通信し、制御します。このICが、さまざまな測定を実施するために必要な機能を提供します。
図1は、このボードのブロック図と、システム内の他の構成要素との通信内容を示しています。
3. ハードウェアの構成
3.1 電源
通常、RDBESS772BJBEVBの電力はBMUからコネクタJ12を経由して供給されます。表1に示す特性に従って電力を供給する必要があります。
| 記号 | パラメータ | 条件 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VBJB_PWR_IN | 供給電圧 | - | 18 | 24 | 30 | V |
| IBJB_PWR_IN | 供給電流 | 通常モードのRDBESS772BJBEVB、TPL通信がアクティブ、すべての高電圧スイッチがオン | - | 160 | 200 | mA |
| RDBESS772BJBEVBが停止中 | - | 20 | - | mA |
BMUが低電圧領域にありますが、BJBは高電圧領域にあります。そのため、RDBESS772BJBEVBはMC33772Cと測定回路に電力を供給するために、絶縁されたDC-DCコンバータを内蔵しています。このコンバータはデフォルトでインダストリアル・コンポーネントです。
