SiGe:C LNA LTE Bypass

製品画像を見る

製品詳細

セクションを選択:

Features

  • Operating frequency from 617 MHz to 960 MHz
  • Noise figure = 0.8 dB
  • Gain 13.7 dB
  • High input 1 dB compression point of −4.5 dBm
  • High in band IP3i of −1 dBm
  • Bypass switch insertion loss of 2.1 dB
  • Supply voltage 1.5 V to 3.1 V
  • Integrated RF supply decoupling
  • Optimized performance at a supply current of 4.9 mA
  • Bypass mode current consumption < 1 µA
  • Integrated temperature stabilized bias for easy design.
  • Requires only one input matching inductor
  • Input and output AC coupled through DC blocking capacitors
  • Integrated matching for the output
  • ESD protection on all pins
  • Low Bill of Materials (BOM)
  • 6 pins leadless package: 1.1 mm x 0.7 mm x 0.37 mm: 0.40 mm pitch
  • 180 GHz transit frequency - SiGe:C technology
  • Moisture sensitivity level of 1

対象アプリケーション

  • LNA for LTE reception in smart phones
  • Feature phones
  • Tablet PCs
  • RF front-end modules

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

設計・リソース

セクションを選択:

設計・ファイル

1 設計・ファイル

  • シミュレーションとモデル

    BGS8L5 S-parameters and Noise

サポート

お困りのことは何ですか??