SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE

  • このページでは、新規設計を推奨しない製品に関する情報を掲載しています。

製品画像を見る

製品詳細

Features

  • Operating frequency from 728 MHz to 960 MHz
  • Noise figure = 0.7 dB
  • Gain = 14 dB
  • High input 1 dB compression point of -3 dBm
  • High in band IP3i of 2 dBm
  • Supply voltage 1.5 V to 3.1 V
  • Self-shielding package concept
  • Integrated supply decoupling capacitor
  • Optimized performance at a supply current of 4.6 mA
  • Power-down mode current consumption < 1 μA
  • Integrated temperature stabilized bias for easy design
  • Require only one input matching inductor
  • Output DC decoupled
  • ESD protection on all pins (HBM > 2 kV)
  • Integrated matching for the output
  • Available in 6-pins leadless package 1.1 mm x 0.7 mm x 0.37 mm; 0.4 mm pitch: SOT1232
  • 180 GHz transit frequency - SiGe:C technology
  • Moisture sensitivity level of 1

Target Applications

  • LNA for LTE reception in smart phones
  • Feature phones
  • Tablet PCs
  • RF front-end modules

部品番号: BGU8L1.

購入/パラメータ










































































































ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.

1 設計・ファイル

サポート

お困りのことは何ですか??