The NWP2081T is a high-voltage monolithic integrated circuit made using the latch‑up free Silicon‑On‑Insulator (SOI) process. The circuit is designed for driving MOSFETs in a half-bridge configuration.
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クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類
5 ドキュメント
コンパクトリスト
完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.
