920-960 MHz, 75 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

  • アーカイブス
  • このページには、製造中止(生産終了)となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。

画像にカーソルを合わせると拡大表示されます。

製品詳細

セクションを選択:

RF Performance Table

900 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1700 mA, Pout = 75 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency Gps
(dB)
ηD
(%)
Output PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
920 MHz18.836.06.3–39.5
940 MHz18.737.06.2–38.6
960 MHz18.638.55.9–37.1
  • Capable of Handling 7:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 380 Watts CW Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for Enhanced Ruggedness
  • Typical Pout @ 1 dB Compression Point 260 Watts CW

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

1 ドキュメント

サポート

お困りのことは何ですか??