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850-960 MHz, 54 W Avg, 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor
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The AFT09S220-02NR3 54 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 850 to 960 MHz.
製品詳細
RF Performance Tables
900 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQ = 1400 mA, Pout = 54 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.| Frequency | Gps (dB) |
ηD (%) |
Output PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
IRL (dB) |
| 920 MHz | 19.5 | 35.8 | 7.0 | –36.7 | –13 |
| 940 MHz | 19.3 | 35.4 | 7.0 | –36.8 | –12 |
| 960 MHz | 19.0 | 35.3 | 7.0 | –36.9 | –12 |
880 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQ = 1400 mA, Pout = 54 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.| Frequency | Gps (dB) |
ηD (%) |
Output PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
IRL (dB) |
| 865 MHz | 20.3 | 35.8 | 7.0 | –36.2 | –14 |
| 880 MHz | 20.1 | 35.8 | 7.0 | –36.5 | –14 |
| 895 MHz | 19.7 | 35.5 | 7.0 | –36.0 | –11 |