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618-803 MHz, 50 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET
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The MRF8S7170NR3 is designed for base station applications with frequencies from 618 to 803 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.
製品詳細
RF Performance Table
700 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1200 mA, Pout = 50 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.| Frequency | Gps (dB) |
ηD (%) |
Output PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
| 728 MHz | 19.7 | 37.1 | 6.2 | –38.7 |
| 748 MHz | 19.5 | 37.0 | 6.1 | –37.5 |
| 768 MHz | 19.4 | 37.9 | 6.1 | –37.8 |
- Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 748 MHz, 170 Watts CW Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for Enhanced Ruggedness
- Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 182 Watts CW