A2I35H060N|3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V

The A2I35H060N wideband integrated circuit is an asymmetrical Doherty designed with on-chip matching that makes it usable from 3400 to 3800 MHz. This multi-stage structure is rated for 26 to 32 V operation and covers all typical cellular base station modulation formats.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Advanced High Performance In-Package Doherty
On-Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked)
Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/Disable Function
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
RoHS Compliant

部品番号： A2I35H060GN, A2I35H060N.

RF Performance Table

3500 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Characterization Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQ1A = 56 mA, I_DQ2A = 141 mA, V_GS1B = 1.6 Vdc, V_GS2B = 1.3 Vdc, Pout = 10 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
3400 MHz	24.0	32.5	–33.4
3500 MHz	24.0	32.4	–37.0
3600 MHz	23.7	31.3	–39.0

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 7 ドキュメント

^{データ・シート}
ARCHIVED - A2I35H060N 3400-3800 MHz, 10 W Avg, 28 V Data Sheet

PDF改訂 0Apr 20, 2016507.2 KBA2I35H060NEnglish
^{アプリケーション・ノート}
Effective Small Cell Solutions for MIMO Radios

PDF改訂 0Jan 15, 2017273.2 KBAN5296English
^{アプリケーション・ノート}
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907English
^{アプリケーション・ノート}
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF改訂 1May 12, 2004140.7 KBAN1987English
^{アプリケーション・ノート}
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF改訂 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977English
^{パッケージ情報}
98ASA00583D, TO-270WB-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 9.02, 18 Pins

PDF改訂 BJan 22, 201686.9 KBSOT1730-1English
^{パッケージ情報}
98ASA00729D, TO-270WBG-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 1.02, 18 Pins

PDF改訂 BJan 18, 201688.0 KBSOT1730-2English

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設計・リソース

デザイン・ファイル

4 設計・ファイル

^{シミュレーションとモデル}
A2I35H060N Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0Apr 20, 2016 00:00:0013.2 KBA2I35H060N_PEAKING_CLASS_C
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^{シミュレーションとモデル}
A2I35H060N Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Apr 20, 2016 00:00:0013.2 KBA2I35H060N_PEAKING_CLASS_AB
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^{シミュレーションとモデル}
A2I35H060N Carrier S-Parameters

S2P改訂 0Apr 20, 2016 00:00:0013.2 KBA2I35H060N_CARRIER
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^{プリント基板と回路図}
A2I35H060N 3500 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 SJ3Apr 20, 2016 00:00:00760.3 KBA2I35H060N_3500_PCB
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3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V Airfast® Wideband Integrated RF LDMOS Amplifiers

製品詳細

Features

RF Performance Table

3500 MHz

ドキュメント

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設計・リソース

デザイン・ファイル

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A2I35H060N Peaking Class C S-Parameters

A2I35H060N Peaking Class AB S-Parameters

A2I35H060N Carrier S-Parameters

A2I35H060N 3500 MHz PCB DXF file

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