3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V Airfast^® RF Power GaN Transistor

このページには、製造中止（生産終了）となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。

The A3G35H100-04SR3 14 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 3400 to 3600 MHz.

This part is characterized and performance is guaranteed for applications operating in the 3400 to 3600 MHz band. There is no guarantee of performance when this part is used in applications designed outside of these frequencies.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

High terminal impedances for optimal broadband performance
Advanced high performance in-package Doherty
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
RoHS compliant

RF Performance Table

3500 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 80 mA, V_GSB = –5.0 Vdc, P_out = 14 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
3400 MHz	14.0	43.8	9.6	–34.0
3500 MHz	14.0	41.4	9.7	–34.5
3600 MHz	14.0	42.5	9.6	–32.2

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類

3 ドキュメント

コンパクトリスト

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011改訂 1

ARCHIVED - A3G35H100-04S 3400-3600 MHz, 14 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A3G35H100-04S]

PDFMay 8, 2018改訂 0

NI-780S-4L[98ASA10718D]

PDFAug 15, 2016改訂 C

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A3G35H100-04S Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0May 8, 2018 00:00:0050.24 KBA3G35H100-04S-Peaking-Class-C

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シミュレーションとモデル
A3G35H100-04S Carrier S-Parameters

S2P改訂 0May 8, 2018 00:00:0050.23 KBA3G35H100-04S-Carrier

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シミュレーションとモデル
A3G35H100-04S Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0May 8, 2018 00:00:0050.23 KBA3G35H100-04S-Peaking-Class-AB

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プリント基板と回路図
A3G35H100-04S 3500 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 5May 8, 2018 00:00:0030.86 KBA3G35H100-04S-3500-PCB

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3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

3500 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

データ・シート (1)

ARCHIVED - A3G35H100-04S 3400-3600 MHz, 14 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A3G35H100-04S]

パッケージ情報 (1)

NI-780S-4L[98ASA10718D]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A3G35H100-04S Peaking Class C S-Parameters

A3G35H100-04S Carrier S-Parameters

A3G35H100-04S Peaking Class AB S-Parameters

A3G35H100-04S 3500 MHz PCB DXF file

絞り込み

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