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1805-1880 MHz, 85 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
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The MRF18085ALR3 and MRF18085ALSR3 are designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications. Specified for GSM-GSM EDGE 1805–1880 MHz.