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1300 MHz, 250 W, 50 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
- このページには、製造中止（生産終了）となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。
RF Power transistors, MRF6V13250HR3 and MRF6V13250HSR3, are designed for CW and pulse applications operating at 1300 MHz. These devices are suitable for use in CW and pulse applications.
製品詳細
RF Performance Tables
Typical Pulse Performance
VDD = 50 V, IDQ = 100 mA| Signal Type | Pout (W) |
f (MHz) |
Gps (dB) |
ηD (%) |
IRL (dB) |
| Pulse (200 µsec, 10% Duty Cycle) |
250 Peak | 1300 | 22.7 | 57.0 | –18 |
- Capable of Handling a Load Mismatch of 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 1300 MHz at all Phase Angles, 250 Watts Pulse Peak Power, 10% Duty Cycle, 200 µsec
Typical CW Performance
VDD = 50 Volts, IDQ = 10 mA, TC = 61°C| Signal Type | Pout (W) |
f (MHz) |
Gps (dB) |
ηD (%) |
IRL (dB) |
| CW | 230 CW | 1300 | 20.0 | 53.0 | –25 |