AFT31150N|150 W Pulse, 2700-3100 MHz, 32 V

The AFT31150N RF power transistor is designed for applications operating at frequencies between 2700 and 3100 MHz. This device is suitable for use in pulse applications.

製品画像を見る

データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
Internally matched for ease of use
Qualified up to a maximum of 32 V_DD operation
Integrated ESD protection
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Recommended driver: AFIC31025N (25 W)
RoHS Compliant

Commercial S-Band radar systems
Maritime radar
Weather radar

部品番号： AFT31150N.

主要パラメータ

Frequency (Min) (MHz)

2700
Frequency (Max) (MHz)

3100
Supply Voltage (Typ) (V)

32
P1dB (Typ) (dBm)

51.8
P1dB (Typ) (W)

150
Die Technology

LDMOS

RF Performance Tables

Typical Performance

In 2700-3100 MHz reference circuit, V_DD = 32 Vdc

Frequency (MHz)	Signal Type	P_out (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	IRL (dB)
2700-3100⁽¹⁾	Pulse (300 µsec, 15% Duty Cycle)	150 Peak	17.2	49.0	–6

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	P_in (W)	Test Voltage	Result
3100⁽²⁾	Pulse (300 µsec, 15% Duty Cycle)	10:1 at all Phase Angles	6.8 Peak (3 dB Overdrive)	32	No Device Degradation

1. The values shown are the center band performance numbers across the indicated frequency range.
2. Measured in 3100 MHz narrowband production test fixture.

購入/パラメータ

‌ ‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

^{データ・シート}
AFT31150N 150 W Pulse, 2700-3100 MHz, 32 V Data Sheet

PDF改訂 0May 25, 2017776.5 KBAFT31150N
^{アプリケーション・ノート}
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF改訂 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955
^{アプリケーション・ノート}
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
^{エンジニアリング・ブリテン}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF改訂 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212
^{パッケージ情報}
98ASA10831D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 9.96, 2 Pins

PDF改訂 DFeb 8, 2019177.8 KBSOT1823-1

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

^{シミュレーションとモデル}
AFT31150N S-Parameters

S2P改訂 0Aug 3, 2017 00:00:0034.4 KBAFT31150N-SP
サインインが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
^{プリント基板と回路図}
AFT31150N 3100 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP改訂 0May 25, 2017 00:00:0034.1 KBAFT31150N-3100NB-PCB
サインインが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
^{プリント基板と回路図}
AFT31150N 2700-3100 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 0May 25, 2017 00:00:0020.9 KBAFT31150N-2700-3100-PCB
サインインが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
^電卓
AFT31150N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0May 25, 2017 00:00:0071.5 KBAFT31150N_MTTF_CALC
サインインが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示

150 W Pulse over 2700-3100 MHz, 32 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

主要パラメータ

RF Performance Tables

Typical Performance

Load Mismatch/Ruggedness

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

AFT31150N S-Parameters

AFT31150N 3100 MHz Narrowband PCB DXF file

AFT31150N 2700-3100 MHz PCB DXF file

AFT31150N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

絞り込み

サポート

お困りのことは何ですか？?

おすすめリンク

150 W Pulse over 2700-3100 MHz, 32 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor