NXP、米アリゾナ州の窒化ガリウム(GaN)の新しいファブにより5G開発を推進

RF向けGaNファブとして米国で最も先進的な量産製造施設

NXP Advances 5G with New Gallium Nitride Fab in Arizona
High-volume manufacturing facility is the most advanced GaN fab for RF in the United States

NXP Advances 5G with New Gallium Nitride Fab in Arizona
High-volume manufacturing facility is the most advanced GaN fab for RF in the United States

NXP Advances 5G with New Gallium Nitride Fab in Arizona
High-volume manufacturing facility is the most advanced GaN fab for RF in the United States

  • アリゾナ州知事がNXPエグゼクティブ、地元、州、米連邦、国際的な政府関係者とともにバーチャル・オープニング・セレモニーに参加し、基調講演で祝意を表明
  • NXPは新しい150mm (6インチ)ファブと、電力密度、ゲイン、直線性効率にフォーカスした20年間に及ぶGaN開発の専門知識を活用し、5Gセルラー・インフラの拡大をリード
  • 最先端ファブは新工場と同敷地を拠点とするNXPのR&Dチーム間の密接な協力をもとに、NXPのより迅速な技術革新を可能にするハブとして機能

NXP Semiconductorsは5G RFパワーアンプ専用ファブとして米国で最も先進的な150mm (6インチ)RF窒化ガリウム(GaN)ファブをアリゾナ州チャンドラーで行われたグランド・オープンで発表しました。この新工場はRFパワーに関する業界リーダーとしてのNXPの専門知識と量産に関するノウハウを統合しており、5G基地局を始め、産業、航空宇宙、防衛市場の先進通信インフラの拡大をサポートする効率的な技術

オープニング・セレモニーではNXPエグゼクティブのほか、以下の米連邦、州、地元政府関係者による基調講演やスピーチが行われました。

  • Kyrsten Sinema / Martha McSallyアリゾナ州上院議員
  • Greg Stanton米下院議員
  • Doug Duceyアリゾナ州知事
  • Kevin Hartkeチャンドラー市長
  • Joseph Semsar米商務省国際貿易局副次官
  • Andre Haspels在米オランダ王国大使

NXPのKurt Sievers CEOは基調講演で次のように述べました。「本日はNXPにとって大きなマイルストーンとなります。この素晴らしい施設の建設とアリゾナ州の重要な人材の活用により、私たちは次世代5G基地局インフラけん引の一環として、GaN技術に注力することができます」。

窒化ガリウム:5Gに向けた新たな金字塔
5Gにより、アンテナ当たりに必要なRFソリューションの密度は指数関数的に増大していますが、同じサイズの維持と消費電力の削減は必須です。GaNパワー・トランジスタはこうした相反する要件への対応に向けた新たな金字塔として注目されており、電力密度と効率の大幅な向上を実現します。

約20年にわたり蓄積したGaN開発の専門知識とワイヤレス通信業界に関する広範な知識により、NXPは5G向けセルラー拡大の次の波をリードするユニークなポジションを確立しています。NXPはお客様のために最高品質のGaNデバイス製造を実現する目的で、高い効率とゲインのクラス最高の直線性の提供に向けた半導体性能向上のために、GaN技術の最適化を徹底してきました。

NXPの長年のお客様であるエリクソンのデベロップメント・ネットワーク・ユニットの責任者であるJoakim Sorelius氏は、次のようにコメントしています。「無線技術ではパワーアンプが重要な役割を果たしていますが、最大の価値をお客様にもたらし業界をリードする製品を提供するために私たちは努力しています。エリクソンの最近の米国での投資と同様に、NXPが要求の厳しい将来の無線ネットワーク向けのRFシステム性能の向上に継続的に焦点を当て、米国の半導体プロセス開発に投資を行っていることを私たちは嬉しく思います」。

最先端ファブはNXPの迅速なGaNイノベーションとトータル・クオリティ・マインドを活用
GaNファブ建設に向けたNXPの戦略的動きをけん引したのは、セルラー・インフラ設計に関するコア・コンピタンス、大量生産と均一性の面での実績、トータル・クオリティ・プロセスでのリーダーシップを活かして高い実績をあげる能力です。

NXPの上級副社長兼ラジオ・パワー・グループ・ゼネラル・マネージャーのPaul Hartは、次のようにコメントしています。「チャンドラー新工場オープンはGaNと通信インフラ市場に対するNXPの数十年に及ぶコミットメントを裏付けるもので、私は非常に嬉しく思います。私はお客様の長年にわたる協力に感謝するとともに、6Gを超えるスケーリングへの対応が可能な世界で最も先進的なRF GaNファブの開設で重要な役割を担った全NXPチームに謝意を表します」。

新ファブはチャンドラーを拠点とするNXPチームと化合物半導体製造に関し長年蓄積した専門知識を活かしており、製造の迅速な立ち上がりが可能になります。アリゾナ州のDoug Ducey知事は、次のようにコメントしています。「アリゾナ州チャンドラーのこの新しい最先端製造施設は、ハイテク製造ハブと5Gイノベーションのパイオニアとしてのアリゾナ州の評価をさらに高めることになります。私たちはNXPによるアリゾナ州での多くの雇用機会創出と投資に感謝しています」。

新工場はファブとNXPの現地R&Dチーム間の協力を促進するイノベーション・ハブとしての役割も果たします。NXPのエンジニアは現世代と将来世代のGaNデバイスに向けた発明のより迅速な実現、検証、保護が可能になり、結果としてNXPのGaNイノベーションのサイクルを短縮できます。

供給
NXPのチャンドラーの新GaNファブは認可申請中で、2020年末までに市場への最初の製品出荷とフル稼働の開始が予定されています。

NXP RF GaNファブのオープニングを動画で紹介
NXPエグゼクティブや政府関係者の基調講演、ファブ・ツアー、GaN技術セッション、NXPのRFリーダーと業界アナリストによる5Gパネル・ディスカッションの動画はこちらをご覧ください。


NXP Semiconductorsについて

NXP Semiconductorsは、よりスマートな世界を実現するセキュア・コネクションを可能にし、人々の生活をより便利に、より良く、より安全にするソリューションを推進しています。組み込みアプリケーション向けのセキュアなコネクティビティ・ソリューションで世界をリードするNXPは、オートモーティブ、インダストリアル& IoT、モバイル、通信インフラ市場における技術革新をけん引しています。60年以上にわたって蓄積した経験と技術を活かし、NXPは世界30か国強で約2万9,000名の従業員を擁しています。2019年の売上高は88.8億米ドルでした。詳細はWebサイトwww.nxp.comをご覧ください。

NXPジャパンはNXP Semiconductorsが開発および製造するプロセッシング・ソリューション、認証技術、コネクティビティ、高出力RFやアナログ製品などを日本市場に提供しています。本社は東京都渋谷区で、名古屋および大阪に営業所があります。詳細はWebサイトwww.nxp.jp(日本語)をご覧ください。

NXP、NXPロゴはNXP B.Vの商標です。他の製品名、サービス名は、それぞれの所有者に帰属します。All rights reserved. © 2020 NXP B.V.

リリース日

2020年10月6日

プレスリリースに関するお問い合わせ

増田 清美

Tel: 070-3627-6472

kiyomi.masuda@nxp.com